Position: Entry level

Job type: Full-time

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Job content

職缺說明:1. Discrete Device2. Power MOSFET3. TSV, IGBT4. 常日班,需配合假日值班
其他條件:1. 理工科系學士以上畢,電子、電機、物理、材料工程尤佳。2. 兩年以上半導體製程或整合經驗尤佳。3. 對新產品製程開發有興趣者。4.具經驗者,薪資依相關學/經歷、證照核薪。
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Deadline: 20-12-2024

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